闳康科技举办的 MAFT 2024 技术发表会于3月21日圆满落幕！本次活动有线上参与的贵宾，也有闳康同仁前来精进学习，将近400位听众共襄盛举。本次活动聚焦于二维材料和宽能隙材料，这两个领域在半导体科技中扮演着重要的角色，对于未来半导体产业的发展至关重要，闳康科技通过联系学界与业界，为客户创造领先的机会！此次技术发表会共邀请四位讲者，分别针对宽能隙半导体、大面积二维MoTe2电晶体、以离子布植研制成长于蓝宝石基板之N型β-Ga2O3磊晶膜和三六族半导体的应用进行深入探讨。
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台湾中山大学-材料与光电科学学系的张六文教授 |
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电子隧道对比影像（ECCI）主要利用电子的隧穿效应来揭示晶格缺陷的位置和性质，进而提供了高解析度的缺陷图像。而电子背向散射绕射（EBSD）则通过分析电子背向散射绕射图案，提供了关于晶体结构和晶向的宝贵信息。这两项技术的应用使得磊晶缺陷的分析更加全面和精确，为宽能隙半导体元件的制造提供了重要的支持。相较于传统技术，ECCI和EBSD具有更高的解析度和更快的分析速度，将有助于推动宽能隙半导体技术的不断发展和应用。
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台湾成功大学-电机工程学系的李文熙教授 |
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李教授的团队研究MoTe2材料时发现利用半金属形成MoTe2电晶体欧姆接触的新颖方式。 其通过高压退火前处理MoTe2 相位控制机制来制作半金属欧姆接触改善MoTe2电晶体特性，并且也利用TCAD二维半导体模拟方法预测半金属欧姆接触的电阻及电晶体特性。
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台湾阳明交通大学-电子研究所的洪瑞华教授 |
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洪教授的团队利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）成功制备出高品质、高结晶度的无损β-Ga2O3。更重要的是，该团队还采用矽离子注入技术，可以在β-Ga2O3中精准控制矽的掺杂浓度。这使得能够根据需求调节β-Ga2O3的电子浓度，进一步优化功率元件的制造过程。
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台湾阳明交通大学-电子物理学系的周武清教授 |
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在本研讨会中，周教授详细介绍了分子束磊晶技术在氧化镓制备方面的应用，以及其在制备硒化镓、碲化镓、硒化铟等三六族二维半导体方面的研究进展。通过精密控制的磊晶过程，该研究团队成功地生长出高品质的氧化镓晶体。并且，也利用光谱技术对该光电特性进行了深入分析，揭示了这些材料在光电器件中的潜在应用价值。
闳康科技MAFT上半年技术发表会内容多元，内容深度能满足技术人员想掌握最先进科研成果的的动机，广度也能促进来自各产业的与会者拓展与闳康科技的合作机会。发表会中场休息时讲者与听众的热络互动，让闳康科技作为联系桥梁、成功让学术界与产业界的连结更紧密。未来闳康科技的技术发表会资讯，亦会通过本公司的官网及社群媒体来公布，有意愿参加的伙伴，别忘了随时关注我们，才不会错过报名资讯喔！
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活动花絮 |
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现场参加者踊跃向讲师提问请教。 |
中场休息教授们交流合照。 |
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闳康科技各实验室的技术同仁连线参与。 |
闳康科技各厂区同仁一同学习科技新知。 |
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常见问题 |
Q1．会提供讲师简报或演讲影片吗？
A．不提供喔，因简报及影像为讲师智财，若想了解更多技术细节，欢迎至闳康官网技术文章专区。
Q2．错过报名时间 (3/18 12:00pm)，还可以追加报名吗？
A．没办法呦，因须作业时间，3/18 12:00pm后即不再接受报名。
Q3．可否只参加特定讲师的演讲时段？
A．为了避免演讲过程无法实时处理客户联机，建议于开场前即先登入，待至有兴趣的阶段再开启画面！
Q4．我对活动内容有疑问，可以跟哪个窗口联系呢？
A．请洽闳康业务、或于官网Live Chat留言咨询，我们将由在线专员为您解惑
Q5．我对讲师演讲内容有兴趣或疑问，可以跟哪个窗口联系呢？
A．建议于研讨会的QA时段与讲师互动：
现场听众-欢迎举手提问！
在线听众-请使用「会议聊天」留言您的疑问、或提前将询问内容提列给闳康业务，演讲当下将由主持人代为提问。
2024/03/21 (四) 13:00~18:00
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