TEM
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技术原理 |
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穿透式电子显微镜技术 (TEM) 在奈米尺度电子材料分析的进展 |
为了有效提高影像解析度，在电子枪的架构上，无论是SEM或TEM的电子枪都已经由钨丝(W-filament) 提升为六硼化镧(LaB6) 或场发射式(Field Emission)，因此影像解析度也都可以达到奈米级的原子解像力。此外，由于场发射式电子枪的电子电流密度的提升，在附属元素侦测的X-ray能谱 (EDX) 分析能力，也大幅改善。
在最近的这一、二年内，设备供应商布鲁克(Bruker)、美商飞昱(FEI) 与日本电子(JEOL)，都陆续开发出大面积的EDX侦测器，或同时在电子枪附近架设四个侦测器，使得元素侦测能力可以做到0.1 %以下，比传统的EDX侦测能力提升约一个数量级，逼近与欧杰能谱分析仪(Auger Electron Spectrometry, AES) 的能力。
TEM Talos |
TEM Talos |
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常见问题 |
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Q1. TEM切 X-S 试片一般可切多宽 ? 多深 ? 多薄 ? |
A. 一般case TEM 试片薄区宽度是5~10um、深20um内、厚度约80~100nm。
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Q2. TEM/EDX 测出元素比例跟预期有差异，如LED 产品Ga : As理论上应该要50% : 50%... |
A. EDX 通常是定性 & 半定量分析，可以看一个整体的趋势，必要时也可以加入试片厚度因素做一些调整以得到较接近的比例值。
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Q3. TEM /EDX 之 Spot size 多大? 侦测极限为何? |
A. TEM /EDX 的 Spot size 大约 2nm 左右；元素浓度含量5%以上可侦测。
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Q4. TEM切 P-V 试片一般可切多大范围? |
A. 若试片留一般厚度 (100nm )可切 10x10um大小的范围；若试片留的厚度较厚 ( 约800~900nm ) 则可以切 25x12um 的范围。
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Q5. TEM 针对晶格方向分析其选区绕射 (SAD) 最小可圈选范围是多大? |
A. SAD最小圈选范围是200nm，故当待测膜层厚度或晶粒尺寸大于200nm即可用SAD分析；若小于200nm则改用NBD，NBD的 Beam size 約3~5nm。
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