电性量测
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技术原理 |
电性量测的目的，是为了验证及量测半导体电子元件的参数与特性，如电压-电流、电容-电压特性曲线、电阻、电容、电感值量测或讯号波形等，借此了解元件的失效行为以推测可能的故障机制，并决定后续的分析动作。
闳康亦针对chip level提供硬针及软针(主要针对线路修补后之电性量测及验证)之探针量测服务，配合probe station与针座的架设，可同时点六根针，probe station上配有Laser cutting system，可做为定位之用。
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机台种类 |
图 (a) 半导体参数分析仪 (HP4156C) |
图 (b) 半导体参数分析仪 (Keysight B1500A) |
图 (c) 高压电源供应器 (Keithley 2410) |
图 (d) 高压电源供应器 (Keithley 2290, 5KV/5mA) |
图 (e) 三输出电源供应器 (E3631A, 6V/5A, +/-25V/1A) |
图 (f) 电源供应器 (BK LPS505n, 32V/3A, 15V/5A) |
图 (g) 数位电表 (34401A) |
图 (h) 示波器 (DSO-X 3104A) |
图 (i) 直流电子负载 (DC Electronic Load 63600) |
图 (j) 讯号产生器 (Keysight 33500B) |
图 (k) 高功率器件分析仪 (Keysight B1506A, +/-3KV/20A) |
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分析应用 |
极低的漏电流测量(例如光二极体或太阳能电池的暗电流测量)，CMOS电路，双极性元件，BiCMOS IC 的半导体参数测量(或者是Spice参数测量)，开/短路试验，CV 测量，电感测量，和IC 直流/交流测试。
图 (a) NMOS Vds-Ids特性曲线 |
图 (b) PMOS Vds-Ids特性曲线 |
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联络窗口 |
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