PEM-InGaAs
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技术原理 |
InGaAs EMMI 与传统EMMI (Si CCD) 的侦测原理一样是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子，但由于两者光子侦测器的材料不同(InGaAs及Si)，侦测的波长范围也就不一样，InGaAs因为能隙较小，可侦测的波长就比较长，范围约在900nm到1700nm之间，已是红外线的波段，随着元件制程越驱缩小，操作电压也随之降低，热载子的能量也跟着变小，因此因为热载子所激发出的光波长也跟着变长，而进入红外线的范围，所以InGaAs便非常适合先进制程对亮点定位的需求。此外，InGaAs的侦测灵敏度也比CCD EMMI来得高，为了获得较好的亮点侦测能力，InGaAs也是绝佳的选择。
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机台种类 |
HAMAMATSU PHEMOS-1000 |
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分析应用 |
与CCD EMMI的应用雷同，但比CCD EMMI多了以下优点：
- 针对低电压操作的 IC 检测提供了更快速的亮点定位(漏电产生的波长较长)
- 红外线侦测(高量子效率)的高灵敏度
- 针对 IC 背面的定位分析，红外线对矽基板的透光率较高
- 在亮点侦测期间(积分期间)，其亮点的呈现是即时的，而不是CCD EMMI 需在积分完才作亮点的呈现
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联络窗口 |
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