离子研磨
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技术原理 |
离子研磨一般称呼为 ion milling 或 CP（cross-section polishing），其使用的等离子体通常是由电感耦合 RF 源或微波源所产生的。
电极发射快速运动的电子，同时氩原子通过扩散筛进入等离子腔体内，并且电磁场环绕着等离子体腔，使电子在圆形轨道上运动，这种循环运动使得电子与氩原子产生多次碰撞，从而产生大量的正氩离子，正氩离子从电极的等离子体源中引出并用一套校准的电极来形成高密度束流，撞击样品产生研磨的效果，完成后再以显微镜观察研磨的切面。
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机台种类 |
Ion Milling System ArBlade 4000 |
Ion Milling System ArBlade 5000 |
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分析应用 |
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截面研磨 （Cross-section Milling） |
为了对样品内部构造进行观察与分析，必须让样品内部构造显露出来，而通过切割机和机械研磨，无法避免因应力而产生的变形和损伤，因此很难得到 SEM 分析需要的平滑表面。
截面研磨用离子束轰击样品，加工出无应力损伤的截面，为 SEM 观察样品的内部多层结构、层厚测量、结晶状态和异物解析等提供有效的样品前处理方法。
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平面研磨 （Flatmilling） |
用 SEM 进行表面观察与分析时，需要面积较大且表面均一的观察面，CP 的平面研磨方式可以满足此要求。
通过 Flatmilling，可用于去除样品的表层，或者机械研磨的后续加工流程。
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案例分享 |
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联络窗口 |
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