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EBIC/EBAC

EBIC (Electron Beam Induced Current) 

技术可用来找出接面的缺陷、观察p-n接面的轮廓和计算出扩散长度(diffusion length)。

 

电子束撞击试片时会产生电子电洞对,电子电洞对受到空乏区内建电场的分离,再经由点针所构成的回路形成电流,由电流影像可判断缺陷位置与接面轮廓。

 

 

 

EBAC (Electron Beam Absorbed Current) 

可快速且有效地定位出线路上开路(open)或桥接(short)的位置。

 

电子束穿过护层或IMD,在metal层累积电荷,metal 层可深达3到4层,累积的电荷因点针构成的回路而形成电流,由电流影像便可判断开路与短路的位置。

 

 

 

 

常见问题

Q1. 闸极氧化层崩溃 (gate oxide breakdown) 该如何找出失效真因?

A. 利用EBIC(electron beam induced current)技术,就可以轻易找到闸极氧化层崩溃的位置喔。

 

由于电子束撞击样品时产生电子电洞对,再经由点针构成的回路形成电流,就可以由电流影像来判断缺陷的位置。

 

 

 

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