OBIRCH
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技术原理 |
IR-OBIRCH的全名为InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顾名思义为雷射光束引生的电阻变化异常检验，其原理是利用波长为1340nm的雷射扫描IC，造成扫描点被局部加温的作用，在给予一个直流定电压的情况下，任何材质或操作的元件皆会因温度变化而产生阻值变化，因此电流也产生变化，OBIRCH便可借着侦测电流变化定出IC可能的故障位置，即阻值变化较大者，如再附加lock-in的功能，更可有效降低杂讯，使讯号更为突显。
此项技术可从晶片正面与背面施作，能缩短找出阻值异常问题的时间，并且经由更换高电流的针座，可进一步分析高电流及电压的元件。
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机台种类 |
HAMAMATSU uAMOS-200 |
Meridian S |
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分析应用 |
- IDDQ (Idd guiescent current)静态电流故障分析
- 侦测金属线内的缺陷(空洞，矽瘤Silicon Nodules)
- 侦测金属接触孔的阻值异常(via, contact的接触不良或漏电特性皆可侦测到)
- Metal或poly的桥接
- 线路或元件的烧毁
- 闸极氧化层漏电
- ESD/Latch-up故障分析
- P-N接面漏电或崩溃
- 操作中的元件，如电晶体与二极体
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— 新！倒置式 OBIRCH 技术特色 — |
- 倒置式镜头，wafer level分析简易，有效控制下针范围与力道
- 提供更好的时效性，解决pad状况不佳，无法打上线等制样问题
- 搭配电路编辑，有效降低讯号引出线后new wire的高成本与提升成功率
- 增加350倍 SIL专属镜头，高阶工艺组件精确定位(>3nm)
- 结合C-AFM 与 nanoprobing，增加TEM等高阶工艺PFA成功率，整体分析流程全面性再优化
- 搭配新型active probe，有效侦测极低讯号
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联络窗口 |
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