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OBIRCH

技术原理

IR-OBIRCH的全名为InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change,顾名思义为雷射光束引生的电阻变化异常检验,其原理是利用波长为1340nm的雷射扫描IC,造成扫描点被局部加温的作用,在给予一个直流定电压的情况下,任何材质或操作的元件皆会因温度变化而产生阻值变化,因此电流也产生变化,OBIRCH便可借着侦测电流变化定出IC可能的故障位置,即阻值变化较大者,如再附加lock-in的功能,更可有效降低杂讯,使讯号更为突显。

 

此项技术可从晶片正面与背面施作,能缩短找出阻值异常问题的时间,并且经由更换高电流的针座,可进一步分析高电流及电压的元件。

 

 

 

 

机台种类

HAMAMATSU uAMOS-200

Meridian S

 

 

 

 

分析应用

  • IDDQ (Idd guiescent current)静态电流故障分析
  • 侦测金属线内的缺陷(空洞,矽瘤Silicon Nodules)
  • 侦测金属接触孔的阻值异常(via, contact的接触不良或漏电特性皆可侦测到)
  • Metal或poly的桥接
  • 线路或元件的烧毁
  • 闸极氧化层漏电
  • ESD/Latch-up故障分析
  • P-N接面漏电或崩溃
  • 操作中的元件,如电晶体与二极体

 

 

 

 

— 新!倒置式 OBIRCH 技术特色 —

  • 倒置式镜头,wafer level分析简易,有效控制下针范围与力道
  • 提供更好的时效性,解决pad状况不佳,无法打上线等制样问题
  • 搭配电路编辑,有效降低讯号引出线后new wire的高成本与提升成功率
  • 增加350倍 SIL专属镜头,高阶工艺组件精确定位(>3nm)
  • 结合C-AFM 与 nanoprobing,增加TEM等高阶工艺PFA成功率,整体分析流程全面性再优化
  • 搭配新型active probe,有效侦测极低讯号

 

 

 

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