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【113年度】產學合作計畫核定結果公告

2024/07/16

自2024年5月7日起,閎康科技公開徵求產學合作計畫,並於6月28日截止,期間收到多份計畫申請書。這些申請書的研究主題涵蓋廣泛,包括半導體材料、光電技術、元件製程、電池技術、記憶體技術、感測器技術、安全晶片、高熵材料以及人工智慧應用等多個科技領域。這些提案申請不僅展現了國內學術研究的多樣性,同時也反映出現代科技在前沿領域的廣泛應用和發展趨勢。本屆113年度合作計畫徵選,各校的投稿比例如附圖所示。

閎康科技期許藉由此產學合作計畫的研究經費提供,能協助加速教授們的前瞻性研究計劃之執行,以提升國內學術研究的分析檢測品質,並促進未來先進科技的發展。

於此眾多優秀的計畫申請案,經閎康科技內部專家團隊的嚴謹評估,針對每個計畫的創新應用、技術挑戰和產業重要性等面向,進行了審慎評選與討論,共同核定本屆合作計畫的入選名單如下。

各校投稿佔比

 

 

113年度核定研究計畫名單

學校

系所

計畫主持人

 

計畫名稱

 
 
臺灣大學

電子工程學

研究所

劉致為 Material Characterization of Stacked Si/Ge/GeSi Nanosheets/Ultrathin Bodies,
Oxide Semiconductor Nanosheets, CFETs, 3D FeFETs and IGZO GAA Nanosheet FETs.
臺灣大學

重點科技學院

元件材料與異質整合學位學程

李敏鴻 用於低軌衛星之超晶格鐵電氧化鉿鋯記憶體
臺灣科大 工業管理系 許嘉裕 人工智慧於TCAD製程結構模擬生成應用於自動量測之研究
陽明交大 電子研究所 李佩雯 光子增強鍺量子位元件的電荷傳輸和穩定性研究
陽明交大 電子研究所 崔秉鉞 厚溝槽底部氧化層之製程技術開發
陽明交大 電子研究所 洪瑞華 以TMGa高速成長氧化鎵磊晶膜及其相關之元件應用
陽明交大 電子研究所 柯明道 氮化鎵製程之靜電放電防護電路設計與驗證
陽明交大 電子研究所 陳冠能 AI輔助矽晶圓對矽晶圓接合的高對位精度技術研究
陽明交大 電子物理系(所) 趙天生 無痕反熔絲一次性可編程記憶體之研究應用於物聯網安全性晶片
陽明交大 電子物理學系 周武清 二維半導體異質結構之磊晶與特性分析
陽明交大 光電工程系 郭浩中 磷化銦雷射與矽光子整合
陽明交大

材料科學與

工程學

陳智 以臨場式升溫原子力顯微鏡進行三維積體電路異質接合製程設計
陽明交大

國際半導體

產業學院

吳添立 應用於電動車之高電壓(>1.2KV)氮化鎵功率元件可靠度及失效機制分析
清華大學

電機系兼

研發長

邱博文 UV-ALD沈積極薄In2O3氧化物半導體通道材料與FLA缺陷填補工程(II)
清華大學

材料科學

工程學系

林姿瑩 前瞻太空應用薄膜光伏技術開發
清華大學 電子工程研究所/ 半導體學院元件 徐碩鴻 ESD Characteristics for GaN-based technology
清華大學

動力機械

工程學系

方維倫 微型壓電傳感器與環境感測器測試技術之開發及性能驗證
清華大學

工程與系統

科學系

巫勇賢 整合鐵電記憶體與快閃記憶體優勢之混合型記憶體以實現低功耗之高密度儲存
清華大學

工程與系統

科學系

陳燦耀 以單原子層金屬異質接合技術增益有機半導體與氧化物半導體界面電子注射效率
成功大學

材料科學及

工程學系

鍾昇恒 高能量密度鋰金屬全電池材料開發與元件分析技術

※清單順序依校名排序

 

恭喜上述獲得核定的計畫,閎康科技將於2024年7月16日統一寄發通知函,並於一週內主動與該計畫主持人聯繫,討論後續計畫執行項目及簽約時程的安排。

 

閎康科技支持各領域前瞻的技術研究,評選出20案合作計畫。本次未獲選定的計劃案,閎康科技亦給予大力支持,提供學研優惠價之分析服務。相關資訊歡迎洽詢各技術單位。

 

 

計劃聯絡窗口

  • 技術聯絡窗口:陳弘仁 先生 | 03-611-6678 ext.3250 | JDP@ma-tek.com
  • 閎康徵件窗口邱珮如 小姐 | 03-611-6678 ext.3815 | JDP@ma-tek.com 

 

 

 公告日期:113年7月16日