掃描式電容顯微鏡 (SCM)
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技術原理 |
掃描式電容顯微鏡可觀察二維掺雜影像，並可分辨 N 型區域與 P 型區域，對於掺雜異常分佈所導致的故障及逆向工程分析相當有幫助。除此之外，此分析技術可補其它分析技術之不足，如：二次離子質譜儀 (SIMS) 分析與展阻分析儀 (SRP) 僅能呈現一維分布及 SEM 搭配化學蝕刻染色之分析技術不易精確控制蝕刻率等。
 圖1 掃描式電容顯微鏡主要應用於二為載子濃度影像的觀察與分析 |
掃描式電容顯微鏡建立於掃描探針顯微鏡的架構上，因此其平面解析度可達 20 奈米，分析時加 AC 電壓於金屬鍍膜探針上，量測 dC/dV 訊號轉換為二維掺雜分布，可分辨出N型與P型區域及其界面。 |
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分析應用 |
- N型與P型掺雜分析
- P-N接面分布分析
- 因掺雜分布異常導致故障/漏電分析
- 逆向工程分析掺雜二維分布
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機台種類 |
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圖2 Bruker D3100, Multiprobe Hyperion
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應用實例 |
 圖2 (a) 截面分析顯示SRAM樣品的摻雜類型及分布、(b) CIS array摻雜分布 |
圖3 Trench摻雜平面分布 |
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常見問題 |
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Q1. SCM 可以進行濃度的分析嗎 ? |
A. 因SCM訊號強度會受樣品表面的情況所影響，所以無法直接從SCM來判定樣品的濃度，建議可以搭配SIMS或SRP來進行濃度的量測。
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Q2. SCM 解析度最小可以到多少 ? |
A. SCM使用Contact mode量測，一般解析度可達0.1um，若需要更加的解析度，本公司還有Nanoprobe高階機台可以進行更高解析度的SCM分析。
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Q3. SCM 可以做樣品的 Plane View 嗎 ? |
A. 可以，在進行Plane View分析之前會先將樣品表面所有結構都去除，然後就可以分析囉!
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Q4. SCM 可以針對特定 Contact 來分析嗎 ? |
A. 可以，針對特定的Contact Array我們會使用特殊定位方式再進行試片製備，確保分析位置的準確性。
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Q5. SCM 可以提供哪些資訊呢 ? |
A. SCM除了可以提供樣品N/P摻雜分布以外，也可以量測出各區域的尺寸，例如摻雜厚度、Channel length、Trench摻雜深度、Source/Drain大小, N/P well界面等資訊。
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聯絡窗口 |
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