閎康科技舉辦的 MAFT 2024 技術發表會於3月21日圓滿落幕！本次活動有線上參與的貴賓，也有閎康同仁前來精進學習，將近400位聽眾共襄盛舉。本次活動聚焦於二維材料和寬能隙材料，這兩個領域在半導體科技中扮演著重要的角色，對於未來半導體產業的發展至關重要，閎康科技透過聯繫學界與業界，為客戶創造領先的機會！此次技術發表會共邀請四位講者，分別針對寬能隙半導體、大面積二維MoTe2電晶體、以離子佈植研製成長於藍寶石基板之N型β-Ga2O3磊晶膜和三六族半導體的應用進行深入探討。
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國立中山大學-材料與光電科學學系與的張六文教授 |
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電子隧道對比影像（ECCI）主要利用電子的隧穿效應來揭示晶格缺陷的位置和性質，進而提供了高解析度的缺陷圖像。而電子背向散射繞射（EBSD）則通過分析電子背向散射繞射圖案，提供了關於晶體結構和晶向的寶貴信息。這兩項技術的應用使得磊晶缺陷的分析更加全面和精確，為寬能隙半導體元件的製造提供了重要的支持。相較於傳統技術，ECCI和EBSD具有更高的解析度和更快的分析速度，將有助於推動寬能隙半導體技術的不斷發展和應用。
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國立成功大學-電機工程學系的李文熙教授 |
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李教授的團隊研究MoTe2材料時發現利用半金屬形成MoTe2電晶體歐姆接觸的新穎方式。 其通過高壓退火前處理MoTe2 相位控制機制來製作半金屬歐姆接觸改善MoTe2電晶體特性，並且也利用TCAD二維半導體模擬方法預測半金屬歐姆接觸的電阻及電晶體特性。
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國立陽明交通大學-電子研究所的洪瑞華教授 |
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洪教授的團隊利用金屬有機化學氣相沉積法（MOCVD）成功製備出高品質、高結晶度的無損β-Ga2O3。更重要的是，該團隊還採用矽離子注入技術，可以在β-Ga2O3中精準控制矽的摻雜濃度。這使得能夠根據需求調節β-Ga2O3的電子濃度，進一步優化功率元件的製造過程。
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國立陽明交通大學-電子物理學系的周武清教授 |
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在本研討會中，周教授詳細介紹了分子束磊晶技術在氧化鎵製備方面的應用，以及其在製備硒化鎵、碲化鎵、硒化銦等三六族二維半導體方面的研究進展。通過精密控制的磊晶過程，該研究團隊成功地生長出高品質的氧化鎵晶體。並且，也利用光譜技術對該光電特性進行了深入分析，揭示了這些材料在光電器件中的潛在應用價值。
閎康科技MAFT上半年技術發表會內容多元，內容深度能滿足技術人員想掌握最先進科研成果的的動機，廣度也能促進來自各產業的與會者拓展與閎康科技的合作機會。發表會中場休息時講者與聽眾的熱絡互動，讓閎康科技作為聯繫橋梁、成功讓學術界與產業界的連結更緊密。未來閎康科技的技術發表會資訊，亦會透過本公司的官網及社群媒體來公佈，有意願參加的夥伴，別忘了隨時關注我們，才不會錯過報名資訊喔！
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活動花絮 |
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現場參加者踴躍向講師提問請教。 |
中場休息教授們交流合照。 |
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閎康科技各實驗室的技術同仁連線參與。 |
閎康科技各廠區同仁一同學習科技新知 |
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常見問題 |
Q1．會提供講師簡報或演講影片嗎？
A．不提供喔，因簡報及影像為講師智財，若想了解更多技術細節，歡迎至閎康官網技術文章專區。
Q2．錯過報名時間 (3/18 12:00pm)，還可以追加報名嗎？
A．沒辦法呦，因須作業時間，3/18 12:00pm後即不再接受報名。
Q3．可否只參加特定講師的演講時段？
A．為了避免演講過程無法即時處理客戶連線，建議於開場前即先登入，待至有興趣的階段再開啟畫面！
Q4．我對活動內容有疑問，可以跟哪個窗口聯繫呢？
A．請洽閎康業務、或於官網Live Chat留言諮詢，我們將由線上專員為您解惑。
Q5．我對講師演講內容有興趣或疑問，可以跟哪個窗口聯繫呢？
A．建議於研討會的QA時段與講師互動：
現場聽眾-歡迎舉手提問！
線上聽眾-請使用「會議聊天」留言您的疑問、或提前將詢問內容提列給閎康業務，演講當下將由主持人代為提問。
2024/03/21 (四) 13:00~18:00
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