閎康科技於 2024 年 8 月 22 日成功舉辦產學合作期末發表會與MAFT ( Materials Analysis Future Tech ) 技術發表會。本次活動以「未來神晶元：解密半導體元件的智能進化」為主題，邀請來自多所知名大學的教授分享最前沿的半導體技術與研究成果。演講嘉賓包括清華大學的巫永賢教授與徐碩鴻教授、中山大學的張六文教授、台灣大學的劉致為教授、以及陽明交通大學的李佩雯教授與崔秉鉞教授。該演講內容涵蓋從 GAA、鍺量子點與量子計算，到 GaN 與 SiC 等先進半導體元件的特性、測試與分析等多個熱門議題。活動共吸引了超過 450 名國內外的參與者，包括現場與遠端連線的來賓，反應非常熱烈。
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產學合作期末發表會：前沿半導體技術探索 |
上午的活動以「112年度閎康科技產學合作期末成果發表會」揭開序幕。第一場演講由巫永賢教授主講，題目為「以創新元件結構與先進材料分析實現低電壓操作、多位元儲存且高可靠度之鐵電電容元件」。其內容講述Al世代半導體與記憶體的困境及熱門解決方案，並且分享有關鐵電記憶體的最新研究及發展。巫教授表示，Al世代的記憶體的效能明顯落後於 CPU ( Central Processing Unit，中央處理器) 的效能，造成所謂的記憶體牆( Memory Wall )，而記憶體牆拖累AI的發展，因此需要更高效能的記憶體才有可能突破現有的難關。在這些替代的的產品中，鐵電電容元件或是鐵電隨機存取記憶體（ Ferroelectric RAM，縮寫為 FeRAM 或 FRAM ）是重要選項之一。事實上，目前在業界已有少數公司例如 Hynix , Sony 及 Micron 等，成功將 HfZrOx 材料用於 FeRAM 實際產品研發中。
巫永賢教授及其團隊提出兩種結構改善 FeRAM 可靠度性能的辦法。第一種是利用 ALD 原子層沉積作法鍍上 2 層 TiN 金屬夾住 FeRAM 材料 HfZrOx，第二種方法則是利用兩層 HfZrOx，夾住 1 層金屬化合物 TaN 薄膜。經實際測試結果，此兩種方法皆能有效改善 FeRAM 可靠度及元件性能，而且採用此兩種結構的元件針對其長期使用後的效能降低問題，可以利用加入不同電壓復原( Recovery )其特性。該重要研究成果已由清華大學與閎康科技提出共有專利申請。
清華大學 巫永賢教授 |
清華大學 徐碩鴻教授 |
第二場的演講由徐碩鴻教授發表「氮化鎵元件的 ESD 特性研究及 ESD 防護設計」。 氮化鎵 ( GaN ) 具有一項獨特的特性，當在其表面覆蓋一層氮化鋁鎵 ( AlGaN ) 時，AlGaN 層會對該 GaN 層產生壓縮應力。由於 GaN 具備壓電特性，這種壓縮會導致電子被吸附到 GaN 的表面，形成一層稱為二維電子氣 ( 2DEG ) 的高濃度電子層。這種二維電子氣將使得 GaN 元件在不加電壓的情況下即可導通，從而賦予其高電子遷移率 ( Electron Mobility ) 和高頻應用的優異特性。徐教授的產學計畫研究主題，是利用不同腳位的ESD (靜電放電能力測試) 測試組合，來分析比較兩種不同結構的 p-GaN HEMT 對於 ESD 抵抗能力，並提出其物理現象的原因解析。該研究成果已發表於電力電子的旗艦研討會ISPSD 2024 ( The 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs )，並於文中致謝閎康科技。
中山大學 張六文教授 |
來賓踴躍提問 |
上午的第三場演講，是由張六文教授介紹「使用電子背散射衍射 ( EBSD ) 技術分析氮化鎵 ( GaN ) 中成長位錯的密度與分佈」之相關技術發展與研究成果。寬能隙半導體磊晶層中缺陷的種類、分佈與密度的分析極為重要，過去學界與業界皆對磊晶缺陷的分析，投注相當大的研究能量，也建立一系列的分析方法。其中，利用掃描電鏡作為平臺所開發的分析技術，主要包括電子隧道譜圖（ ECP ）和電子隧道對比影像（ ECCI ），以及電子背向散射繞射（ EBSD ）發展，以及此兩項技術應用在寬能隙半導體缺陷的分析所取得之成果。在傳統 EBSD 中，透過掃描所得之晶粒取向 ( Orientation )，經過計算可求得方向差，但是此方法在方向及角度的計算結果存在偏差值，仍有改善空間；高解析度 EBSD ( HREBSD )則是應用不同方法來量測晶軸偏移以及推算位移梯度，進而計算該方向差，此可有效提高 EBSD 的解析度。
張教授實驗室團隊的研究成果顯示，利用 ECCI 和 HR-EBSD 技術的結合可提供一種強大的工具，以非破壞性方式分析 GaN 中的生長缺陷。其不僅可以獲得穿透位錯的密度和分佈，還可以獲取單一位錯的特徵和由此產生的鑲嵌結構。隨著背散射電子檢測技術和菊池圖案分析演算法的不斷改進，已使得 HR-EBSD 技術成為 HR-XRD 的補充工具，用於半導體磊晶層的缺陷表徵。在演講中，張教授也回答現場來賓關於AI技術應用於複雜演算過程中的可能性，並表示未來有望在累積足夠數據後採用AI技術。
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MAFT技術發表會：前瞻技術的深度剖析 |
下午的活動為「MAFT2024 H2技術發表會」，主要邀請三位知名學者進行演講。台大劉致為教授率先分享「環繞式閘極奈米片電晶體技術與進階元件」，深入介紹 GAA 奈米片電晶體及其技術發展藍圖。劉教授實驗室是全世界首度發表16層 GAA 結構的研究團隊，該疊層形狀類似 101 煙火。劉教授也於演講中介紹其團隊所提出的新型電晶體元件。該元件主要經由結合FinFET及Nanosheet結構形成，元件的剖面形狀看起來類似中文「王」字，有稱霸先進電晶體的寓意。然而經多方考量，最終將其命名為 TreeFET (樹狀場效電晶體)。劉致為教授喜歡用簡單的語言解釋複雜的學術研究，演講十分平易風趣。而最特別的是，他在現場搭配使用 GAA 及 CFET 實體模型，來展示說明 GAA 的複雜構造，此舉吸引現場來賓熱切目光。劉教授的演講十分精彩，贏得全場熱烈掌聲。
台灣大學 劉致為教授 |
陽明交通大學 李佩雯教授 |
下午第二場是由陽明交大李佩雯教授進行演講，主題為「鍺量子點在量子計算與矽光子的奇妙世界」。該演講內容包括半導體量子計算( Quantum Computing;QC )、矽光子( SiPhs ) 元件，以及鍺量子點的製作及應用技術等。量子計算是當今科技產業最熱門的話題之一，被譽為改變未來世界的革命性技術。目前全球科技巨頭紛紛投入巨資研究和發展，而在這其中，憑藉現有的半導體產業優勢，最具發展潛力、有望成為量子計算核心元件的「鍺量子點」，更是備受矚目。李佩雯教授的鍺量子點應用研究，就是為實現半導體量子計算及矽光子元件所開發的重要技術。
李教授實驗室的研究內容，主要是利用半導體製程技術，將鍺量子點做成球形。該研究成果對於未來導入產業應用時，將得以直接使用現有的半導體生產設備來執行、不需再另外開發新的設備，同時也能有效減少製程工序，使其有機會真正應用於量子計算及矽光子元件之量產。李佩雯教授卓越的研究團隊，不但開發出球形鍺量子點的製程控制技術，也清楚闡述其形成球形之物理機制，目前所有研究成果皆已發表於各大國際研討會及知名期刊。
陽明交通大學 崔秉鉞教授 |
現場互動交流 |
下午第三場的講者為陽明交大的崔秉鉞教授，演講主題「碳化矽元件技術與挑戰」。 崔教授的分享內容主要以高功率碳化矽( SiC )技術為主，針對不同應用元件包括 SiC 功率肖特基勢壘二極體 ( SBD )，SiC 功率 MOSFET，垂直雙離子注入 MOSFET ( VDMOSFET )，溝槽柵極 MOSFET ( UMOSFET )，碳化矽鰭式場效電晶體等進行介紹。崔教授深入淺出地講解碳化矽元件的設計概念、應用特點、以及其相關優缺點及製程技術等，並預測未來的技術發展趨勢，內容十分精彩，期望能夠幫助企業或個人在高功率元件領域取得突破，實現技術創新和市場競爭力的提升。
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結語 |
本日活動上午場「112年度產學合作成果發表會」的交流討論，充份展現了本屆產學合作計畫執行之豐碩成果，現場業界與學術界的貴賓皆給予高度評價。而下午場的「MAFT2024 H2技術發表會」，也順利畫下圓滿句點。本次技術發表會的參與盛況如同以往，獲得了閎康客戶的廣大迴響，從開放報名開始，詢問及註冊的信件就不斷湧入，直到截止收件，都仍陸續收到客戶希望報名的要求。此再一次證明了閎康科技在業界的影響力。我們深感客戶對新知的渴求，並將繼續努力，為客戶準備更多精彩的大師級前瞻技術演講，共創產學雙贏。
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常見問題 |
Q1．會提供講師簡報或演講影片嗎？
A．不提供喔，因簡報及影像為講師智財，若想了解更多技術細節，歡迎至閎康官網技術文章專區。
Q2．錯過報名時間 (8/15 12:00pm)，還可以追加報名嗎？
A．沒辦法呦，因須作業時間，8/15 12:00pm後即不再接受報名。
Q3．可否只參加特定講師的演講時段？
A．為了避免演講過程無法即時處理客戶連線，建議於開場前即先登入，待至有興趣的階段再開啟畫面！
Q4．我對活動內容有疑問，可以跟哪個窗口聯繫呢？
A．請洽閎康業務、或於官網Live Chat留言諮詢，我們將由線上專員為您解惑。
Q5．我對講師演講內容有興趣或疑問，可以跟哪個窗口聯繫呢？
A．建議於研討會的QA時段與講師互動：
現場聽眾-歡迎舉手提問！
線上聽眾-請使用「會議聊天」留言您的疑問、或提前將詢問內容提列給閎康業務，演講當下將由主持人代為提問。
2024/08/22 (四) 09:30~17:30
閎康科技 矽導實驗室Show Room / 線上
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