|
不！您有更好的方法 － EBIC! |
在元件失效的機制上，我們常遇到gate oxide breakdown的問題，造成這問題的原因可能是ESD、可能是製程異常、也可能是元件設計或測試時造成的過壓現象。
過去我們要發掘出此問題，一般是經由發亮的gate contact VC確認漏電後，再利用酸處理把缺陷位置吃出一個洞，這個洞就是所謂的gate oxide pinhole，只不過這種故障分析方式不僅僅失敗率高，而且還是破壞性的處理手法，案發現場都被破壞了，您只知道缺陷位置，卻對缺陷的樣貌一無所悉，更遑論找出真因與提出改善措施了。
EBIC（Electron Beam Induced Current）徹底解決了長久以來面對gate oxide breakdown的困境，它能夠有效的定位出缺陷位置，再進而以FIB/TEM切面的方式觀察缺陷，判斷出造成此缺陷的製程問題，以進行製程改善，達成良率提升與降低客退的目的。爾後若是再遇到gate oxide breakdown的現象，只要依循以下三步驟，就可馬上找出問題的真因囉!
 EBIC定位出缺陷位置 |
Gate oxide製程異常造成厚度過薄 |
STI corner平坦度問題造成gate oxide breakdown |
想要知道更多關於EBIC的原理，歡迎點擊〔EBIC/EBAC〕了解 !
