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CPU |
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Intel Pentium D プロセッサ955構造解析 |
平面（P-V）および断面（X-S）SEM/TEMを用いて、デバイスの回路レイアウトと材料構成を明らかにしました。 TEM/EDX分析は、主要エリアの構成要素を分析するために実施されました。 SIMS（二次イオン質量分析）は、デバイス形成のドーピングプロファイルを決定するために用いられました。 プロセス技術の観点からの微細構造分析が含まれています。 プロセスの特徴は次のとおりです。
- パッケージ内に同じサイズのICチップが2個見つかりました。
- このICアーキテクチャは、8レベルのCuダマシンプロセスによって特徴付けられます。[ゲート長39.6nm、ゲート酸化膜1.6nm]。
- Wプラグとそれに続くグローバルCMP平坦化が第１レベルの金属接点として用いられています。
- 凹型S/Dはスペーサーエッチングの結果であることが示されました。
- チップの一部の領域では、選択的なSi-Geエピタキシャル成長がアクティブ領域で行われ、エピタキシャル層の厚さは約93.1nmでした。
- ILD層とIMD層にLow-K酸化物を含むカーボンが検出されました。
1-1. 部品の外観検査-表側と裏側
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パッケージのマーキングは： 1．INTEL © ‘05 2．PENTIUM ® D 3．955 SL94N MALAY 4．3.46GHZ / 4M/1 066 5．L541B538 |
(a) フロントサイド |
(b) バックサイド |
1.3 裏面パッケージの分解 - 裏面のプラスチックキャップを取り外します。
プラスチックカバーを外した後、PCBの裏面には部品実装用の金属接合部があることが分かりました。
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 部品の裏面 |
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1.5 ICチップの検査
 (a) パッケージ（チップ除去後）(b) ICチップ（上向き） |
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1.6 ICチップ上の製品番号とロゴ
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1.7 チップ表面の Pb-Sn はんだバンプ
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(a) パッケージ（チップ除去後） |
(b) ICチップ（上向き） |
1.8 チップ表面のPb-SnはんだボールのSEM/EDX分析
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ボールのサイズは直径118.1μmでした。
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SEM/EDX分析により、はんだバンプの組成はPb-Sn合金であることを確認しました。
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2.2 ICアーキテクチャの断面構造-ポリゲート(M3-M1)
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3.1 ICアーキテクチャの断面構造-ポリゲート全体（M8-STI）
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3.2 ICアーキテクチャの断面構造-ポリゲート方向（M1-ポリゲート）全体
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3.3 ICアーキテクチャの断面構造-ポリゲート方向（ゲート構造の寸法測定）
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ゲート構造の垂直方向の寸法を左図に示します。
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ゲート構造の水平寸法を右図に示します。
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最小チャネル長は39.6 nmであることが示されました。
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セクション3.4のTEM/EDX分析結果から、スペーサーの組成はSiCである可能性が示されました。
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4.1 積層構造の概要一覧
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