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OBIRCH(光ビーム加熱抵抗変化検出法)

方式

OBIRCHはOptical Beam Induced Resistance Change の略で、レーザービームを素子上でスキャンして故障箇所を検出する方法です。ビア、コンタクト、導電層を素子の上面または裏面から検出します。

OBIRCHは動作チェックあるいはDCチェック中にレーザービームをスキャンすることにより、IC内で発生する熱勾配を利用しており、局所的な発熱に伴うICの故障箇所を見つけ出すことにより、合格/不合格の判定を行います。

 

本技法は故障箇所の診断時間を月単位から分単位へと大幅に減少しかつS/N比も改善しました。

 

その上高電流プローブヘッドを用いることにより、高電流素子や高電圧素子の解析も行うことができます。

 

 

 

保有装置

HAMAMATSU uAMOS-200

 

 

 

 

 

応用

リーク箇所の検出/位置決め

  • IDDQ (Quiescent Vdd Supply Current)異常

 

金属欠陥の検出

  • 金属配線の検査 (void, Si nodule)
  • コンタクトホールにおける異常抵抗箇所の検出 (via contact)
  • メタライゼーション工程のモニター

 

  

 

担当者

名古屋ラボ|営業部

趙文卓

: 052-705-1688 ext:1

: 090-6322-9683

: sales_japan@ma-tek.com

名古屋ラボ|新規事業開發部

長谷川 文哉

: 052-705-1688 ext:3

: 080-5322-2380

: FumiyaHasegawa@ma-tek.com