電気特性測定
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方式 |
本分析サービスは半導体デバイスの電流-電圧特性(I-V)、静電容量-電圧特性(C-V)、インダクタンス等の電気特性を測定いたします。
また必要に応じてFIBを使用し、半導体素子にプローバーを装着し、半導体個別素子の電気的測定サービスも提供いたします。
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保有装置 |
(a) Semiconductor parameter analyzer (HP4156C) |
(b) Semiconductor parameter analyzer (Keysight B1500A) |
(c) High voltage power supply (Keithley 2410) |
(d) High voltage power supply (Keithley 2290, 5KV/5mA) |
 (e) Power supply with three pairs of ports (E3631A, 6V/5A, +/-25V/1A) |
(f) Power supply (BK LPS505n, 32V/3A, 15V/5A) |
(g) Numerical meter (34401A) |
(h) Oscilloscope (DSO-X 3104A) |
(i) DC electronic load (DC electronic load 63600) |
(j) Waveform generators (Keysight 33500B) |
(k) Power device analyzer (Keysight B1506A, +/-3KV/20A) |
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応用 |
LEDや太陽電池の暗電流測定等の微小漏洩計測、CMOS、BJT、BiCMOSなど半導体定数の計測やSpice定数の計測、ショート、断線テスト、C-V、インダクタンス、半導体のDC/AC計測など。
NMOS Vds-Ids 特性曲線 |
PMOS Vds-Ids 特性曲線 |
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