DB P-FIB
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技術コンセプト |
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デュアルビームプラズマFIB（P-FIB）は、キセノンをイオン源とした断面試料作製用のFIBです。 |
従来のGa+ FIBと比較して20倍の高速処理が可能です。そのため、通常のFIBでは不可能な大面積断面の試料作製に適しています。
また、P-FIBには電子銃が搭載されており、SEM像を取得することができます。断面観察の際には、欠陥形状をSEMモードで段階的に観察することができ、分析者は適切な切断位置を決定することができます。
構造観察に加えて、P-FIBは発熱解析やOM、3D X線、SATなどの非破壊分析後の欠陥評価にもよく利用されています。現在、P-FIBはICやパッケージの故障解析に広く利用されています。
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装置 |
MA-tekはFEI社とTESCAN社のP-FIBを所有しています。特徴は以下のとおりです。
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ビーム電流 1.5pA～1.3uA
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加速電圧 2kV～30kV
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FIB分解能（コインシデンスポイント）25nm@30kV(より最適な統計手法による)
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ハイスループットな大面積自動化
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加工エリアは 500um幅および500um深さが可能
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極めて高速で正確な断面加工と物質の除去
(a) FEI P-FIB (b) TESCAN P-FIB |
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アプリケーション |
P-FIBは主に以下のような製品や構造に使用されています。
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2.5D / 3D IC
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TSV
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C4バンプ / インターポーザ / μバンプ
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ボンディングパッド / 第1ボンド / 第2ボンド
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はんだバンプ / BGAボール
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チップ裏面
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MEMS
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アセンブリ / PCB
 ボンディングパッドとワイヤーの観察 |
 チャンネルコントラストによるはんだバンプ観察 |
 CSPのBGAボールの下部のプロファイルチェック |
 TSV |
C4バンプ断面 |
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TESCAN P-FIB の特徴 |
 EBICにより故障箇所を特定することができます。青色のドットはパーティクルや欠陥です。 (a) EBIC (b)SE |
 CL検出器を用いて異なる材料の分布や位置を区別することができます。 (a) CL (b)SE |
 BSE検出器を用いると材料の違いがコントラストに強く現れます。 |
 LVSTDは1〜500Paの圧力で動作し、バイオサンプルの観察に使用することができます（冷却ステージ併用）。 |
 冷却ステージ：温度は-50～-70℃の範囲で安定しており、結晶化過程を観察することができます。 |
 SI検出器は画像のコントラストを向上させることができます。 |
 ロッキングステージは、サンプルステージを自動で回転させ、FIBによるアーティファクトを抑制できます。 |
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